Главная Фотоэлектрический датчик Диффузный фотоэлектрический датчик АЭ3Ф-ДС10П1-Т

АЭ3Ф-ДС10П1-Т

ae3f-ds10p1-t

В наличии

0 р.

В корзину

Купить в 1 клик

Описание Гарантии

Описание

Тип и спецификация
Тип		Круглый тип
Размеры		M18 * 1
Тип постоянного тока	NPN	НЕТ	АЭ3Ф-ДС10Н1-Т
		NC	АЭ3Ф-ДС10Н2-Т
		NO + NC	АЭ3Ф-ДС10Н3-Т
	PNP	НЕТ	АЭ3Ф-ДС10П1-Т
		NC	АЭ3Ф-ДС10П2-Т
		NO + NC	АЭ3Ф-ДС10П3-Т
Тип переменного тока	Двухпроводная	НЕТ	АЭ3Ф-ДС10А1-Т
Тип переменного тока	Двухпроводная	NC	АЭ3Ф-ДС10А2-Т
Дальность обнаружения		10 см ± 10%
Цель обнаружения		Прозрачный/непрозрачный объект
Регулировка дальности обнаружения		Регулятор чувствительности
Время реакции		1ms
Задержка соединения		1.5ms
Источник света		Инфракрасный свет 660 нм
Источник питания		Тип постоянного тока: 12-24В постоянного тока (6-36В), импульсный (pp) на 10% ниже; Тип переменного тока: 110-220 В переменного тока (90-250 В) 50/60 Гц
Выдержать напряжение		AC1000V 50/60Гц 1мин между зарядной частью и корпусом
Влияние напряжения		В пределах ±15% диапазона номинального напряжения питания, при номинальном значении напряжения питания, в пределах ±10% расстояния обнаружения
Потребляемый ток		Тип N/P: ≤20 мА, тип A: ≤1.7 мА
Управляющий выход		Тип N/P: ≤200 мА, тип A: ≤200 мА
Защита от петель		Тип N/P/D: защита от обратного подключения, поглощение перенапряжения, защита от короткого замыкания нагрузки, тип A: поглощение перенапряжения
Температура окружающей среды и влажность		Рабочая температура/температура хранения: -30~65℃ (без замерзания, без росы); Влажность при эксплуатации/влажность при хранении: 35~95% относительной влажности
Температурное влияние		Диапазон температур -30~65℃, при +23℃, расстояние обнаружения ±15%; Диапазон температур -25~60℃, при +23℃, расстояние обнаружения ±10%
Сопротивление изоляции		≥50 МОм (DC500 мегаметр) между зарядной частью и корпусом
Материалы		Корпус: никелированная латунь (АБС), Поверхность обнаружения (линза): ПММА
Класс защиты		IP67