Главная Фотоэлектрический датчик Диффузный фотоэлектрический датчик АЭ3Ф-ДС50П1

АЭ3Ф-ДС50П1

ae3f-ds50p1

В наличии

0 р.

В корзину

Купить в 1 клик

Описание Гарантии

Описание

Тип и спецификация
Тип	Круглый тип
Размеры	M18 * 1
Тип постоянного тока	NPN НЕТ	АЭ3Ф-ДС50Н1
	НПН НК	АЭ3Ф-ДС50Н2
	NPN NO + NC	АЭ3Ф-ДС50Н3
	PNP НЕТ	АЭ3Ф-ДС50П1
	ПНП НК	АЭ3Ф-ДС50П2
	ПНП НО+НЗ	АЭ3Ф-ДС50П3
Тип переменного тока	AC НЕТ	AE3F-DS50A1
Тип переменного тока	переменный ток НЗ	AE3F-DS50A2
Дальность обнаружения	10-50 см ± 10%
Цель обнаружения	Прозрачный/непрозрачный объект
Регулировка дальности обнаружения	Регулятор чувствительности
Время реакции	1ms
Задержка соединения	1.5ms
Источник света	Инфракрасный свет 660 нм
Источник питания	Тип постоянного тока: 12-24В постоянного тока (6-36В), импульсный (pp) на 10% ниже; Тип переменного тока: 110-220 В переменного тока (90-250 В) 50/60 Гц
Выдержать напряжение	AC1000V 50/60Гц 1мин между зарядной частью и корпусом
Влияние напряжения	Внутри ±15% диапазона номинального напряжения питания, при номинальном значении напряжения питания, внутри ±10% расстояние обнаружения
Потребляемый ток	Тип N/P: ≤20 мА, тип A: ≤1.7 мА
Управляющий выход	Тип N/P: ≤200 мА, тип A: ≤200 мА,
Защита от петель	Тип N/P/D: защита от обратного соединения, поглощение перенапряжения, защита от короткого замыкания нагрузки, тип A: поглощение перенапряжения
Температура окружающей среды и влажность	Рабочая температура/температура хранения: -30~65℃ (без замерзания, без росы); Влажность при эксплуатации/влажность при хранении: 35~95% относительной влажности
Температурное влияние	Диапазон температур -30~65℃, при +23℃, расстояние обнаружения ±15%; Диапазон температур -25~60℃, при +23℃, расстояние обнаружения ±10%
Сопротивление изоляции	≥50 МОм (DC500 мегаметр) между зарядной частью и корпусом
Материалы	Корпус: никелированная латунь (АБС), Поверхность обнаружения (линза): ПММА
Класс защиты	IP67
длина кабеля	2m