Главная Фотоэлектрический датчик Диффузный фотоэлектрический датчик АЭ3С-ДС30П1

АЭ3С-ДС30П1

ae3s-ds30p1

В наличии

0 р.

В корзину

Купить в 1 клик

Описание Гарантии

Описание

Тип и спецификация
Тип		Квадратный тип
Размеры		20 * 20 * 64мм
Тип постоянного тока	NPN	НЕТ	АЭ3С-ДС30Н1
		NC	АЭ3С-ДС30Н2
		NO + NC	АЭ3С-ДС30Н3
	PNP	НЕТ	АЭ3С-ДС30П1
		NC	АЭ3С-ДС30П2
		NO + NC	АЭ3С-ДС30П3
Тип переменного тока	Двухпроводная	НЕТ	АЭ3С-ДС30А1
Тип переменного тока	Двухпроводная	NC	АЭ3С-ДС30А2
Дальность обнаружения		10-30 см ± 10%
Цель обнаружения		Прозрачный/непрозрачный объект
Регулировка дальности обнаружения		Регулятор чувствительности
Время реакции		30ms
Частота отклика		Постоянный ток: 0.5 кГц, переменный ток: 25 кГц
Расстояние задержки		≤10% расстояние обнаружения
Задержка соединения		1.5ms
Источник света		Инфракрасный свет 660 нм
Напряжение питания		Тип постоянного тока: 12-24 В постоянного тока (6-36 В), импульсный (pp) на 10% ниже; Тип переменного тока: 110-220 В переменного тока (90-250 В) 50/60 Гц
Выдержать напряжение		AC1000V 50/60Гц 1мин между зарядной частью и корпусом
Влияние напряжения		В пределах ±15% диапазона номинального напряжения питания, при номинальном значении напряжения питания, в пределах ±10% расстояния обнаружения
Сила тока		≤3ВА
Управляющий выход		≤2A (срок службы контакта: 0.1 миллиона раз)
Допустимый импульс и вибрация		B≤30 г, T≤11 мс, f≤55 Гц, a≤1 мм
Температура окружающей среды и влажность		Рабочая температура/температура хранения: -30~65℃ (без заморозки, без вытяжки); Влажность при эксплуатации/влажность при хранении: 35~95% относительной влажности
Температурное влияние		Диапазон температур -30~65℃, при +23℃, расстояние обнаружения ±15%; Диапазон температур -25~60℃, при +23℃, расстояние обнаружения ±10%
Сопротивление изоляции		≥50 МОм (DC500 мегаметр) между зарядной частью и корпусом
Материалы		Корпус: Литой под давлением алюминий (АБС), Поверхность обнаружения (линза): ПММА
Класс защиты		IP65
длина кабеля		2m